消息稱三星正改善半導體封裝工藝:非導電膠過渡至模塑底部填膠 IT之家 2 月 20 日消息

 人参与 | 时间:2024-03-04 04:13:58

IT之家 2 月 20 日消息,消息根據韓媒 ETNews 報道,称星三星電子正計劃升級工藝,正改至模將非導電膠(NCF)更改為模塑底部填膠(MUF),善半塑底從而實現更先進的导体电胶封裝工藝。

三星過去一直使用非導電膠來垂直連接半導體。NCF 可在半導體之間形成一層耐用薄膜,工艺过渡從而防止芯片輕易彎曲。站群软件1部填NCF 曾被用作支持 TSV 的消息關鍵材料,但也因難以處理、称星生產效率較低而不被認可。正改至模

報道稱三星電子計劃在矽通孔(through-silicon electrode,善半塑底TVS)加工過程中,导体电胶引入使用 MUF 材料。封装非导

TVS 加工通俗來說,站群软件2工艺过渡就是在晶圓(Wafer)或者裸晶(Die)上穿出數千個小孔,實現矽片堆疊的垂直互連通道。而 MUF 就是上下連接,縮小半導體之間間隙的材料,站群软件6有助於緊密凝固和結合各種垂直堆疊的半導體。

IT之家從報道中獲悉,三星電子已經能夠從日本購買了 MUF 相關的設備,通過這一新變化,三星似乎希望改進工藝並提高生產率。

SK Hynix 在第二代 HBM 之前也一直使用 NCF,站群软件5但從第三代(HBM2E)開始直接改用 MUF,特別是采用 MR-MUF。

業界某相關人士表示:“MR-MUF 方式與 NCF 相比,導熱率高出 2 倍左右,不僅對於工藝速度,還是良率等都有很大影響。站群软件4

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